1. Nan eta tanperati ki ba a, si tanperati a pi ba pase 0 degre, rezistans entèn la ap ogmante pa apeprè 15 pousan chak fwa tanperati a desann pa 10 degre. Youn nan rezon enpòtan yo se ke rezistans espesifik la ogmante paske viskozite nan solisyon asid silfirik nan batri a vin pi gwo.
Nan yon tanperati ki pi wo, tankou 10 degre oswa pi wo, pousantaj difizyon nan silfat ion ogmante, efè a polarizasyon konsantrasyon diminye anpil, ak rezistans nan polarizasyon diminye, men rezistans nan kondiktè ogmante ak ogmantasyon nan tanperati, men pousantaj la nan ogmantasyon se. piti.
2. Pandan pwosesis chaje ak egzeyat batri a, rezistans nan chanje. Rezistans entèn la chanje soti nan gwo a piti pandan pwosesis chaje a, ak vis vèrsa.
3. Rezistans entèn nan batri plak mens se evidamman pi piti pase sa yo ki nan batri plak epè, paske kantite plak mens nan batri a menm kapasite se pi plis pase sa yo ki nan batri plak epè, kidonk lè se menm aktyèl la egzeyate, dansite aktyèl la. nan batri plak mens se piti, ak polarizasyon nan chak poto se pi piti anpil.
4. Egzeyat aktyèl
Nan egzeyat aktyèl la segondè enstantane, akòz dilution rapid nan solisyon asid silfirik nan espas sa a plak, plis pase 90 pousan nan molekil asid silfirik nan solisyon an deyò twou a plak pa gen okenn tan difize nan espas sa a plak. Nan fason sa a, rezistans espesifik solisyon an nan twou plak batri a ogmante ak vòltaj tèminal la diminye anpil. Sepandan, apre yo fin sispann egzeyat la, rezistans espesifik solisyon an nan twou plak la diminye ak vòltaj tèminal la ogmante kòm molekil asid silfirik ak gwo konsantrasyon difize nan espas sa a plak.